使用自旋轨道力矩（SOT）磁阻随机存储器（MRAM）进行有状态逻辑运算
摘要：使用自旋轨道扭矩磁阻随机存取存储器技术，我们提出了两种设计有状态逻辑的方法。第一种方法利用自旋轨道扭矩磁阻随机存取存储器的读写路径分离特性进行逻辑运算。与之前的工作不同，我们的方法利用了标准的存储结构，每一行都可以作为输入或输出。第二种方法使用电压控制的自旋轨道扭矩磁阻开关来实现更密集的存储器阵列中的有状态逻辑。我们通过SPICE模拟在过程变动和器件不匹配的情况下评估了这两种方法的功能。
作者：Barak Hoffer and Shahar Kvatinsky
论文ID：2208.00741
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2022-08-02