硅中的声子辅助Auger-Meitner复合：从第一原理出发
摘要：间接带隙半导体中直接和声子辅助Auger-Meitner复合(AMR)的一致的第一原理研究方法。我们应用该方法研究了AMR在硅中的微观起源。我们的结果与实验测量非常吻合，并显示在n型和p型硅中声子辅助贡献主导复合速率，这证明了声子在使AMR能够实现中起关键作用。我们还将整体速率分解为特定声子和电子谷的贡献，以进一步阐明AMR的微观起源。我们的结果突出了通过应变工程改变硅中的AMR速率的潜在途径。
作者：Kyle Bushick, Emmanouil Kioupakis
论文ID：2207.08028
分类：Materials Science
分类简称：cond-mat.mtrl-sci
提交时间：2023-08-31