观察到谷-霍尔光子拓扑界面模式中的强反射

摘要:光的独特性质支撑着光量子技术、光互连和各种新型传感器的发展方向,但目前一个关键的限制因素是由于吸收或缺陷引起的损耗。最近拓扑光子学的发展促进了制造基于拓扑界面模式的抗背散射波导的设想,但令人惊讶的是,对它们的传播损耗的测量迄今为止还没有实现。在这里,我们报告了沿谷霍尔拓扑波导慢光区域的损耗测量,发现没有迹象表明拓扑保护可以防止普遍的结构缺陷引起的背散射。我们对从拓扑波导散射出去的光进行成像,发现传播损耗是由于安德森定位引起的。由于谷霍尔光子拓扑界面目前是唯一可行的不吸收或不平面损耗的抗背散射的拓扑波导候选者,我们的工作引发了关于光子学中拓扑保护的实际价值的根本问题。

作者:Christian Anker Rosiek, Guillermo Arregui, Anastasiia Vladimirova, Marcus Albrechtsen, Babak Vosoughi Lahijani, Rasmus Elleb{ae}k Christiansen and S{o}ren Stobbe

论文ID:2206.11741

分类:Optics

分类简称:physics.optics

提交时间:2023-08-01

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