6 K下铁和钆基体上植入的$^{66}$Ga、$^{67,69}$Ge的超精细场及其在g因子测量中的应用
摘要：$^{66}$Ga、$^{67}$Ge和$^{69}$Ge中的同位素被反应喷射到铁和钆的铁磁宿主中，温度约为6K，并且通过时间差动态扰动角度分布(TDPAD)测量确定了超精细磁场。在约6K的超精细磁场强度与先前较高温度的测量结果进行了比较，并将$R(t)$函数的振幅与经验性期望进行了比较。结果表明，钆可以成为高精度束内$g$因子测量的合适宿主。对$^{66}$Ga和$^{67}$Ge中同位素的新$g$因子测量结果为$g(^{66}$Ga$,7^{-}) = +0.126(4)$，支持$[pi\_{f5/2} otimes u g\_{9/2}]\_{7^-}$构型分配，并且通过测量比值$g(^{67}mathrm{Ge})/g(^{69}mathrm{Ge}) = 0.869(9)$，推导出$g(^{67}$Ge$,frac{9}{2}^{+})=-0.1932(22)$。这些值与先前的结果一致。$R(t)$振幅表明同位素态产生的核定向显著低于经验性期望的$sigma/I approx 0.35$。
作者：T. J. Gray, A. E. Stuchbery, B. J. Coombes, J. T. H. Dowie, M. S. M. Gerathy, T. Kibedi, G. J. Lane, B. P. McCormick, A. J. Mitchell, and M. W. Reed
论文ID：2206.07294
分类：Nuclear Experiment
分类简称：nucl-ex
提交时间：2022-06-16