单个缺陷原子电阻器中高和低电阻状态的建模
摘要：使用二维材料作为开关材料的RRAM（Resistance-change random access memory）器件是纳米级金属-绝缘体-金属结构，可以在其电阻状态中存储信息，即高阻态（HRS）和低阻态（LRS）。作为一种非挥发性内存元件，它们具有快速切换、长保持时间和切换循环，并且还适用于神经形态计算的直接应用，因此是通用存储器的潜在候选者。在本研究中，我们首先提出了一个模型来分析RRAM器件或所谓的“原子电阻器”不同的电阻状态，该器件采用新型二维材料作为开关材料而不是绝缘体。然后，利用所开发的模型来研究单个缺陷的单层MoS2记忆电阻器的电学特性。器件在HRS和LRS之间的电阻变化与二维材料中的空位缺陷被电极中的金属原子取代时的隧道传输概率的变化有关。通过沿横向方向对缺陷和被取代的金属原子的影响进行平均处理，将畸变捕捉在一维势能剖面中。这种简化使我们能够用较少的量子传输模型来建模单个缺陷电阻器，同时考虑到缺陷的存在。
作者：Yuvraj Misra and Tarun Kumar Agarwal
论文ID：2206.05504
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2022-06-14