迈因茨微型加速器MAMI上的500 MeV正电子束设计研究
摘要：Mainz Microtron MAMI应用物理区域对能量为500 MeV的正电子束进行了设计研究。正电子将在MAMI的855 MeV电子束在钨转换靶材中产生的制动辐射对转换过程中产生。在两种可行的几何结构中，即在制动辐射转换靶材本身进行对转换（i）和在分离的铅箔中进行对转换（ii），详细考虑了前者。正电子将在外部开放的电子束线弯曲磁铁内进行能量选择，并通过额外的扇形磁铁弯曲回来。之间的磁聚焦元件被设计为在离目标约6 m的一个良好屏蔽的正电子靶室内，为10微米厚非晶钨靶材和可忽略的动量展宽的束流准备具有水平和垂直发射束的。在接受的1 MeV正电子带宽下，预计垂直方向的斑点具有0.064 mrad的角展宽和5.0 mm的尺寸（半峰宽），水平方向的斑点具有0.64 mrad的角展宽和7.7 mm的尺寸（半峰宽）。正电子的产量为每秒13.1个，在1 MeV正电子能量带宽和1 nA电子束流下。
作者：H. Backe, W. Lauth, P. Drexler, P. Heil, P. Klag, B. Ledroit, and F. Stieler
论文ID：2205.12613
分类：Accelerator Physics
分类简称：physics.acc-ph
提交时间：2022-09-14