碳二硫的解离电子附着动力学与6电子伏特共振附近的轴向反冲近似违规
摘要：低能电子与三硫化碳结合的完全解离动力学已经使用速度切片成像（VSI）技术进行研究。在5到11电子伏能量范围内，得到了S-离子和CS-离子的离子产率随入射电子能量的变化。在此能量范围内，获得了S-离子约在6.2电子伏和7.7电子伏处的两个共振，并且获得了CS-离子约在6.2电子伏处的一个共振。测量了这些片段负离子在这些共振附近的不同入射电子能量下的动能和角度分布。通过这些片段阴离子的角度分布，我们发现临时负离子的弯曲使得角度分布与预期的分布有显著的变化。
作者：Anirban Paul, Dhananjay Nandi
论文ID：2205.10085
分类：Atomic and Molecular Clusters
分类简称：physics.atm-clus
提交时间：2022-09-28