大型熔铸处理Bi-2212管材强轴向磁场屏蔽的研究
摘要：使用Bi-2212 空心圆柱体在4.2K的温度下，对屏蔽轴向磁场高达1.4T的可行性进行了研究。在外部磁场为1T和1.4T时，测量了管道轴线上的剩余磁通密度。屏蔽因子定义为管道中心处应用磁通密度与剩余磁通密度的比值，测得在1T和1.4T下的屏蔽因子分别为32x104和12x103。从测量结果中考虑管道的厚度，评估了感应电流密度。文章还讨论了测量结果的时间稳定性。通过数值模拟，对外部和剩余磁通密度进行了仿真，并与实验结果进行了比较。研究结果表明，Bi-2212超导体管道在4.2K下在高达1.4T的磁场下具有较高的屏蔽性能。
作者：Alaa Dbeyssi, Bertold Froelich, Maria Carmen Mora Espi, Frank Maas, Luigi Capozza, Oliver Noll, Yadi Wang, Dexu Lin
论文ID：2205.00727
分类：Instrumentation and Detectors
分类简称：physics.ins-det
提交时间：2023-04-05