3T-1R磁阻随机存取存储器（MRAM）用于RNG和低功耗内存的模拟写入和数字读取
摘要：与30nm FinFET集成的MTJ用于低电压模拟写操作和读出优化的研究，用于p位或真随机数生成器（TRNG），其中诱导的p位（磁隧道结，MTJ）的概率状态在一个计算周期内被检测到。该周期包含两个子周期：写入和读取/复位周期。在所期望的工作点对因素进行校准后，与MTJ的操作变得随机、独立，这些因素可能导致信号偏差，例如温度、材料老化或外部磁场。
作者：Thomas Egler, Hans Dittmann, Sunanda Thunder and Artur Useinov
论文ID：2204.14204
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2022-05-02