在将操作至深低温的 MOSFET 中的氧化物陷阱电荷的波动-耗散关系

摘要:氧化物困住电荷噪声在工作温度降至深冷温度的MOSFET中的分析

作者:Gerard Ghibaudo

论文ID:2204.04958

分类:Applied Physics

分类简称:physics.app-ph

提交时间:2023-06-08

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