具有分段光滑特性的记忆电阻一端口电路的合成
摘要：在以晶体管开关为基础的多功能电路的例子中，提出了一种实现具有分段平滑特性的记忆电阻器的广义方法。考虑了电路的两个版本：分段平滑的记忆电阻器（Chua的记忆电阻器）的实验模型和分段平滑的记忆电容器。通过将物理实验与讨论的电路模型的数值建模相结合，证明了所考虑的电路是合成具有可调参数特性的广泛范围记忆系统的一种灵活解决方案。
作者：Vladimir V. Semenov
论文ID：2203.12708
分类：Adaptation and Self-Organizing Systems
分类简称：nlin.AO
提交时间：2022-10-06