利用MOCVD生长过程中故意大量加入氢来调控镓氮化物中镁的掺杂
摘要：MOCVD法在注入Mg原子使其浓度达到[Mg]≈2×10^19 cm^-3的最佳水平的GaN层上进行了实验。在一系列的MOCVD运行中，保持了操作条件，包括前体的温度和流速，唯一的差别在于故意增加反应器中氢载气的流量。通过在该实验中采用最大的氢流量25 slm，证实了所生长的Mg掺杂GaN层在无任何热活化处理下具有室温下空穴浓度为≈2×10^17 cm^-3的性能。实验证据表明，在MOCVD生长过程中加入大量的氢气可以显著调节Mg原子的掺杂，从而MgH复合物可以和主要的且明显具有电活性的独立MgGa受主共存。
作者：Anelia Kakanakova-Georgieva, Alexis Papamichail, Vallery Stanishev, and Vanya Darakchieva
论文ID：2203.10654
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2023-07-19