无Moir'e势的MoSe2-WSe2异质结构中的局域层间激子
摘要：在MoSe2-WSe2异质双层结构中，被困的层间激子(IXs)引起了人们的兴趣，可以用作单个量子发射器阵列，并为研究过渡金属二硫化物(TMD)异质结构中的莫尔哇物理提供机会。IXs是空间间接准粒子，由MoSe2层中的电子与WSe2层中的空穴结合而成。以前的报道指出，低温下具有光谱窄(<1 meV)的光致发光(PL)发射线被归因于TMD层之间的莫尔哇势。在这里，我们展示了即使通过在TMD层之间插入双层六方氮化硼(hBN)间隔层抑制了莫尔哇势，也出现了光谱窄的IX PL线。我们直接比较了直接接触的MoSe2-WSe2区域和通过双层hBN分离的区域中IXs的掺杂、电场、磁场和温度依赖性。我们的结果表明，导致窄PL线的局域化势与莫尔哇势无关，而可能是由于纳米气泡或缺陷等外在效应引起的。我们展示了虽然这两个区域中窄IX线的掺杂、电场和温度依赖性类似，但它们的激子g因子具有相反的符号，这表明直接接触区域中的IXs被莫尔哇和外在局域化势所困。
作者：Fateme Mahdikhanysarvejahany, Daniel N. Shanks, Mathew Klein, Qian Wang, Michael R. Koehler, David G. Mandrus, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Oliver L.A. Monti, Brian J. LeRoy, John R. Schaibley
论文ID：2203.08052
分类：Other Condensed Matter
分类简称：cond-mat.other
提交时间：2022-12-06