点状接触模型在磁性纳米线和结的领域壁电阻振荡中的应用：由平均自由程效应引起
摘要：在磁性纳米线中，本工作致力于确定由不可忽略的缺陷引起的单个畴壁的电阻。所提供的模型涵盖了各种纳米线的直径范围。所得到的结果表明，随着直径增长从1.2纳米到15.2纳米，畴壁电阻的迅速降低伴随着其可能的偏差。这些偏差，也被称为振荡，是由于畴壁上非均匀的电子散射条件引起的，即一个自旋通道上是球形散射，另一个自旋方向相反的通道是准球形散射。当畴壁宽度值约在两个长度之间，即自旋下和自旋上的平均自由程时，这种情况可能会发生。这一发现的间接证据也来自以下事实：均匀纳米线显示出最有价值的畴壁电阻振荡，而非分段磁性纳米线。除了采用畴壁宽度恒定的方法外，还使用了另一种合理的模型，该模型可以将畴壁约束在某些条件下。对于具有畴壁的磁性结合，结果也是相同的。最后，在扩散范围内进行电阻模拟，当纳米线（或点状结合处）的直径大于电子的任何自旋分辨的平均自由程时，成功地跟踪了文献中可用的单个和双畴壁电阻的实验数据。
作者：Artur Useinov
论文ID：2203.06960
分类：Other Condensed Matter
分类简称：cond-mat.other
提交时间：2022-03-15