一种基于伪磁化的磁电记忆器件
摘要：一种新型的磁电存储器设备的提出，在压电/铁磁（PE/FM）异质结构中存储磁易轴信息或伪磁化，而不是确定的磁化方向。从理论上讲，我们展示了如何通过PE/FM组合产生展示铁电样行为的伪磁化的非易失性。当FM是一个低阻隔纳米磁体时，伪磁化可以通过极低的电压进行操作。利用与实验基准相匹配的电路模型，我们确定了设想的1T/1C存储器设备的开关能量、延迟、开关概率和保持时间，这些参数与磁性和电路参数有关，并讨论了与一个叫做背压电压vm的关键参数的热稳定性，这是一个对应于应变引起的磁场的电学度量。利用铁磁共振（FMR）测量，我们实验上提取了CoFeB薄膜和沉积在Pb（Mg1/3Nb2/3）0.7Ti0.3O3（PMN-PT）上的圆形纳米磁体中的vm的数值，这些数值与理论值非常吻合。我们的实验结果确实表明了所提出的新型设备的可行性，并确认了我们建模工作中的假定参数。
作者：Tingting Shen, Orchi Hassan, Neil R. Dilley, Kerem Y. Camsari, Joerg Appenzeller
论文ID：2202.02203
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2023-07-20