SDEX：在Memristor交叉开关上进行随机微分方程的蒙特卡罗模拟
摘要：在这里，我们提出了在一种忆阻交叉点上的随机微分方程（SDEs），其中高斯噪声的来源是由于设备编程过程中离子漂移导致的随机电导率。我们研究了线路电阻对正态随机向量生成的影响，显示偏斜和峰度在可接受范围内。然后，我们展示了一个用于Black-Scholes SDE的随机微分方程求解器的实现，并将其分布与解析解进行比较。我们确定随机数生成按预期工作，并计算了仿真的能量成本。
作者：Louis Primeau, Amirali Amirsoleimani, and Roman Genov
论文ID：2202.01395
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2022-02-04