神经锤：在记忆电阻交叉栅中引发位翻转
摘要：新型非易失性存储器（NVM）技术在能效、延迟和特性（如内存计算）方面具有独特的优势。因此，新兴的NVM技术被认为是未来神经形态平台中计算和存储的理想基底。然而，这些技术需要就基本的可靠性和安全性问题进行评估。本文提出了一种名为“NeuroHammer”的安全威胁，该安全威胁由于存储器单元之间的热串扰造成在ReRAM交叉栅中。我们演示了通过系统性地写入相邻的存储器单元可以有意诱发ReRAM器件中的位翻转。我们还开发了一个仿真流程，用于评估NeuroHammer以及物理参数对攻击效果的影响。最后，我们讨论了在可能的攻击场景中的安全影响。
作者：Felix Staudigl, Hazem Al Indari, Daniel Sch"on, Dominik Sisejkovic, Farhad Merchant, Jan Moritz Joseph, Vikas Rana, Stephan Menzel, Rainer Leupers
论文ID：2112.01087
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2022-06-09