利用被动式RRAM交叉栅阵列实现的长短期记忆

摘要:基于无源阻性随机存取存储器交叉栅阵的面积和能量极高效的LSTM网络实现

作者:Honey Nikam, Siddharth Satyam, Shubham Sahay

论文ID:2111.04588

分类:Emerging Technologies

分类简称:cs.ET

提交时间:2022-04-06

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