一维电子晶格中局域和扩展激发的传输
摘要：一个由耦合的LC单元一维阵列组成的双感应电路的散射特性被研究。对于一个最初定位的电激发，并在没有杂质的情况下，我们计算了无限和半无限晶格中最初定位的电激发的均方位移，并得到了非常一般条件下的弹道传播。对于扩展激发的传输，我们计算了电感-感应平面波穿过杂质区域的透射系数，该区域包含一些侧耦合单元或与第一和第二最近邻耦合的单个内部杂质，并寻找Fano共振(FRs)的存在。对于所有被研究的情况，我们得到了以感应耦合的相对强度为间隔位置定位FR的闭合形式表达式。对于两个相同的侧耦合杂质的情况，单个FR的位置与两个杂质之间的相对距离无关。
作者：Mario I. Molina
论文ID：2109.08211
分类：Pattern Formation and Solitons
分类简称：nlin.PS
提交时间：2021-10-08