等离子非易失性记忆交叉栅阵列用于人工神经网络
摘要：三维等离子非挥发性存储交叉阵列的双模操作在电学和光学领域中可以通过等离子体学来实现。由于金属电极是波导的一部分，它可以作为光子学和电子学之间的桥梁。所提出的安排是基于低损耗的远程介质加载表面等离子体极化波导，其中金属条带位于缓冲层和脊之间。为了实现双模操作，定义了可以提供电学和光学调制功能的材料。
作者：Jacek Gosciniak
论文ID：2107.05424
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2021-07-13