可扩展的磁隧道结构模拟的紧凑模型
摘要：一个基于物理的建模框架用于分析和瞬态模拟包含自旋转移扭转磁隧道结 (Spin-Transfer Torque Magnetic Tunnel Junction, STT-MTJ) 设备的电路。该框架提供了工具来分析 MTJ 的随机行为，并生成 Verilog-A 紧凑模型，用于在大型 VLSI 设计中进行模拟，解决了需要符合实际可靠性和可扩展性要求的行业就绪模型的需求。设备动力学由 Landau-Lifshitz-Gilbert-Slonczewsky （s-LLGS）随机磁化方程描述，考虑了电压控制磁各向异性 (Voltage-Controlled Magnetic Anisotropy, VCMA) 和由热噪声引起的非可忽略统计效应。通过与OOMMF磁场模拟器进行验证，验证了模型的行为，并对1-Mb 28nm 磁电阻随机存取存储器 (Magnetoresistive-RAM, MRAM) 产品进行了性能表征。
作者：Fernando Garc''ia-Redondo, Pranay Prabhat, Mudit Bhargava, Cyrille Dray
论文ID：2106.04976
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2021-06-10