近似MRAM：适用于容错应用的高性能和低功耗计算与MRAM芯片

摘要：构建近似非易失性磁阻存储器 (MRAM) 框架的有效系统化方法及其应用的结果

作者：Farah Ferdaus, B. M. S. Bahar Talukder, and Md Tauhidur Rahman

论文ID：2105.14151

分类：Emerging Technologies

分类简称：cs.ET

提交时间：2022-05-24

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