回复《对Phi memristor: Real memristor found一文的评论》
摘要：回应1909.12464中的主要批评意见，我们将提供我们针对以下问题的客观、点对点的回应。首先，我们将指出评论中对我们物理模型的理解和解释存在一些微不可闻的错误。其次，我们将使用1961年的第三方实验（以及之后的其他第三方实验）进一步支持我们的观点，即我们发明的Phi记忆电阻器尽管存在寄生电感效应，但仍具有记忆电阻特性。第三，我们将通过数学分析这种寄生效应，介绍我们正在进行中的纳米尺度工作，并指出在宏观尺度设备中可以完全消除这种寄生电感效应，而在纳米尺度设备中可以安全忽略它。
作者：Frank Zhigang Wang
论文ID：2104.09357
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2021-04-20