膜电阻材料应用的设备变异性分析
摘要：研究变动性对记忆电阻器设备的影响：一项考虑到设备变动性和周期性的记忆电阻逻辑门材料蕴含的影响研究-通过对不同参数和变量进行分析，我们获得了新的约束条件，并与大量的模拟结果进行了比较，包括单门和1T1R交叉栅结构。我们发现，基于开关条件的静态分析不能对设备变动性的抗干扰性进行全面评估。此外，我们还概述了导致IMPLY门能够产生正确输出值的参数范围。这项研究表明，阈值电压是最关键的参数。这项工作帮助科学家和工程师更好地了解设计可靠的基于IMPLY的计算单元时要避免的问题，并使其更容易地设计出来。此外，这些分析还可以用于确定某种记忆电阻器技术是否适用于IMPLY电路和系统的实现。
作者：Simon Michael Laube and Nima TaheriNejad
论文ID：2101.07231
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2021-01-19