磁耦合和密度对STT-MRAM性能的影响

摘要：STT-MRAM中磁耦合对写入性能和数据保持有影响的建模与研究

作者：Lizhou Wu, Siddharth Rao, Mottaqiallah Taouil, Erik Jan Marinissen, Gouri Sankar Kar, Said Hamdioui

论文ID：2011.11349

分类：Emerging Technologies

分类简称：cs.ET

提交时间：2020-11-24

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