LVAD入口导管连接处血栓形成的多尺度模拟：Virchow三联征的重要性
摘要：当前代室房助力设备（VAD）中，泵血栓形成有所减少，但出血或中风等不良事件仍存在不可接受的风险。VAD入口导管（IC）周围的血栓形成被视为中风事件的可能原因。最近的计算流体动力学（CFD）研究试图描述不同IC-心室配置的血栓形成风险。然而，纯CFD模拟将血栓形成风险与基于流动特性的特定标准相关联，对生化因子的考虑相对较少。本研究调查IC血栓形成的起因，包括Virchow三要素中的内皮损伤和高凝状态。为此，进行了包括血小板活性和凝血反应的多尺度血栓形成模拟。我们的结果显示，在IC壁附近的停滞区域（|u|<0.002 m/s）中存在明显的凝血酶生成。此外，观察到导管前缘尖端处高剪切力介导的血小板活化，这与临床观察到的血栓沉积模式相吻合。当前研究揭示了心室导管连接处血栓形成的生化因素的重要性，这可以为临床决策提供指导，包括抗凝血/抗血小板治疗，并指导工程师开发更加稳健的设计。
作者：R. Mendez Rojano, M. Zhussupbekov, J. F. Antaki
论文ID：2011.10479
分类：Tissues and Organs
分类简称：q-bio.TO
提交时间：2020-11-23