摘要：基于磁电场效应晶体管（MEFET）的非易失性2T-1MEFET存储位单元及其性能评估
作者：Shaahin Angizi, Navid Khoshavi, Andrew Marshall, Peter Dowben, Deliang Fan
论文ID：2009.06119
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2020-09-15
PDF 下载： 英文版 中文版pdf翻译中