多功能纤维状电阻切换模型
摘要：利用量子力学方法发展了一个完整准确的纤维模型，以解释 memristor 工作循环过程中的电阻变化。我们采用量子行走模拟和计算形成纤维的原子运动，紧束缚哈密顿量捕获纤维结构，并利用非平衡格林函数 (NEGF) 方法计算器件的电导。此外，我们通过图形处理单元 (GPUs) 对整个模型进行并行化，以加速计算和提高模型性能。仿真结果成功重现了 memristor 设备的电阻切换特性，与现有实验数据相匹配，证明了所提出模型在多参数化方面的功效和稳健性，并为其运作原理提供了新的有用见解。
作者：Iosif-Angelos Fyrigos, Vasileios Ntinas, Georgios Ch. Sirakoulis, Panagiotis Dimitrakis, Ioannis G. Karafyllidis
论文ID：2008.07409
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2020-08-20