超深层流水线的超越CMOS技术的逻辑验证
摘要：在本文中，我们提出了一种适用于超出CMOS电路验证过程的LEC框架。我们的LEC框架兼容现有的CMOS技术，同时还能够检查超出CMOS技术所特有的特性和功能。我们引入了多周期输入依赖（MCID）电路模型，该模型是一种新颖的设计模型表示，能够显式捕捉电路的主要输出对内部信号和输入序列的依赖关系。通过嵌入所提出的电路模型和几个结构检查模块，验证过程可以独立于底层技术和信号传输。我们在后综合快速单通量量子（RSFQ）净线表上对所提出的框架进行了基准测试。结果显示，相比于类似CMOS电路的ABC工具，RSFQ电路基准测试的验证时间相对较短，包括32位Kogge-Stone加法器、16位整数除法器和ISCAS'85电路。
作者：Arash Fayyazi, Shahin Nazarian, Massoud Pedram
论文ID：2005.13735
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2020-05-29