用于内存计算的忠实模拟记忆阻抗交叉栅阵列
摘要：在内存计算是一种新兴的非冯·诺伊曼计算范式，其中通过利用内存设备的物理属性，在内存中执行某些计算任务。膜电阻器件如相变存储器（PCM）特别适用于内存计算。特别是，膜电阻器件在交叉配置中时，可以利用基尔霍夫电路定律执行矩阵向量乘法运算。为了探索在深度学习等应用中，以及用于系统级架构的探索，这种内存计算核心的可行性，开发一个能捕捉膜电阻器件关键物理属性的准确硬件仿真器是非常可取的。在这里，我们提出了一个PCM的仿真器，并使用PCM原型芯片的测量结果进行实验验证。此外，我们还提供了一个神经网络推理的仿真器应用，其中我们的仿真器可以非常好地捕捉约400,000个PCM设备的电导演化过程。
作者：Anastasios Petropoulos, Irem Boybat, Manuel Le Gallo, Evangelos Eleftheriou, Abu Sebastian and Theodore Antonakopoulos
论文ID：2004.03073
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2020-04-08