基于SPICE模型的负电容垂直纳米线场效应晶体管的器件-电路水平研究
摘要：基于BSIM-CMG模型和Landau-Khalatnikov(LK)方程，本研究提出了一种用于负电容垂直纳米线场效应晶体管（NC VNW-FET）的SPICE模型。受到短门长度限制，缺乏可控和集成化结构以实现高性能的NC VNW-FETs。提出了一种新型结构用于子3纳米节点的NC VNW-FETs。此外，为了理解和改进NC VNW-FETs，将S形极化电压曲线（S-曲线）分为四个区域，并提出了一些新的设计规则。通过使用SPICE模型，实现了器件-电路协同优化。调查了门工作函数（WF）和NC的共同设计。模拟了一个环形振荡器来分析电路能量延迟，结果表明，在低供电电压下，NC VNW-FETs可以实现高达88％的能量降低，并保持等额的延迟。本研究提供了一种可靠的方法来分析基于NC的器件和电路的性能，并揭示了NC VNW-FET在低功率应用中的潜力。
作者：Weixing Huang, Huilong Zhu, Kunpeng Jia, Zhenhua Wu, Xiaogen Yin, Qiang Huo and Yongkui Zhang
论文ID：2002.03726
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2020-02-11