非晶态NbSi薄膜中的电子玻璃效应
摘要：非平衡场效应在具有不同Nb含量和厚度的绝缘非晶NbSi薄膜中得到了报道。在从室温冷却到4.2K后，在所有薄膜中观察到电子玻璃的特征，即电导与栅压曲线中的记忆陷阱的对数增长。我们展示了非常丰富的现象学特征。虽然记忆陷阱的宽度发现与薄膜参数强烈变化，就像非晶氧化铟膜中观察到的那样，但屏蔽长度和动态的温度依赖性更接近于颗粒态Al膜中观察到的情况。我们的结果表明，连续系统和不连续系统之间的区分并不相关于理解各种电子玻璃特征之间的差异。相反，我们认为这些差异不是基本的，并且源于所使用的协议和各材料内的电性不均匀长度尺度的差异。
作者：J. Delahaye, T. Grenet, C.A Marrache-Kikuchi, V. Humbert, L. Berg''e, L. Dumoulin
论文ID：2001.01437
分类：Disordered Systems and Neural Networks
分类简称：cond-mat.dis-nn
提交时间：2020-04-15