3He杂质对4He薄膜质量解偶的影响
摘要：5 MHz AT剪切石英晶体对Grafoil（剥离石墨）上超流体4He薄膜的石英晶体微量天平实验，掺入小量的3He达到0.40个原子/纳米平方。我们发现，即使在微量的3He掺杂下，质量与振荡基底的解耦合也相当敏感。在一个29.3个原子/纳米平方4He薄膜中，我们观察到在小幅振荡时，其共振频率在T3约0.4 K时出现小幅下降，这被归因于3He原子附着在4He固体原子层上。在大幅振荡时，4He固体层在接近T3的TR处显示出重新解耦合的质量。这种解耦合可以通过3He原子吸附在晶体边缘位错上抑制超流体逆向流动来解释。随着4He面密度的增加，TR向较低温度转移，并在39.0个原子/纳米平方的4He薄膜处消失。
作者：Kenji Ishibashi, Jo Hiraide, Junko Taniguchi, Tomoki Minoguchi, Masaru Suzuki
论文ID：1912.12801
分类：Other Condensed Matter
分类简称：cond-mat.other
提交时间：2020-09-23