缺位扰动的Ab initio典型介质理论
摘要：用单点典型介质理论与密度泛函理论相结合，我们引入了一个自洽的框架来计算具有置换失序的材料的电子结构，考虑了安德森定域化。我们介绍了该方案和实施的细节，并将其应用于假想的合金LiₓBe₁₋ₓ，并将结果与使用相干势近似得到的结果进行了比较。此外，我们还证明了安德森定域抑制了(i)在MgOₓC₁₋ₓ中以碳为掺杂物替代氧、(ii)在Mg₁₋ₓMnₓO中以锰为掺杂物替代镁时的低自旋磁性结构的铁磁排序。
作者：A. "Ostlin, Y. Zhang, H. Terletska, F. Beiuseanu, V. Popescu, K. Byczuk, L. Vitos, M. Jarrell, D. Vollhardt, L. Chioncel
论文ID：1911.02393
分类：Disordered Systems and Neural Networks
分类简称：cond-mat.dis-nn
提交时间：2020-01-31