电子晶格中的线性杂质模式：理论与实验
摘要：电子网络中存在的局部化和扩展的电子模式，使用电容杂质来检测理论和实验。利用格林函数方法，我们能够得到闭合形式的电子模式的频率和空间分布。这使我们能够系统地理解这些模式性质如何随系统参数的变化而变化。我们在实验测量中验证了这些分析结果，在体内和表面上都获得了非常好的一致性。最后，我们进行了一系列的急剧切换实验，其中网络的一个参数或网络的几何形状在两个值或配置之间迅速切换。在所有情况下，通过对杂质模式解分支的详细表征，我们能够自然地解释这些切换实验的结果，并从中得到更大的分析图像。
作者：M.I. Molina, L.Q. English, M-H. Chang, P.G. Kevrekidis
论文ID：1909.10981
分类：Pattern Formation and Solitons
分类简称：nlin.PS
提交时间：2019-12-18