矩形槽和棋盘格图案对电子发射产量的影响
摘要：粗糙结构对10 eV至2 keV的电子碰撞下的电子发射的影响由GEANT4（MicroElec）的低能电磁模型的新版本进行了研究。通过使用介电函数理论和Mott的部分波模型来描述弹性散射，建立了非弹性散射模型。对铝和银的不同尺寸的凹槽和棋盘格样式进行了次级电子发射模拟。根据形状参数h/L和d/L进行了分析，其中h是高度，L是结构的宽度，d是相邻结构之间的间距。次级电子发射随着h/L和d/L比例的增加而减少。当高度达到侧向尺寸的10倍时，与平坦样品相比，电子发射产额减少了一半。两个纵横比的优化导致凹槽和棋盘格图案的电子发射产额分别减少了80％和98％。这种几何效应对铝和银材料都是相似的。提出了一个简单的解析模型，能够重现棋盘格和凹槽图案对电子发射产额的影响。该模型与蒙特卡洛模拟和我们的照射设施中进行的一些实验测量结果非常吻合。
作者：J. Pierron (ONERA / DPHY, Universit''e de Toulouse (F-31055 Toulouse - France)), Christophe Inguimbert (ONERA / DPHY, Universit''e de Toulouse (F-31055 Toulouse - France)), Mohamed Belhaj (ONERA / DPHY, Universit''e de Toulouse (F-31055 Toulouse - France)), J''er^ome Puech (CNES), M''elanie Raine (DAM/DIF)
论文ID：1903.09489
分类：Space Physics
分类简称：physics.space-ph
提交时间：2019-03-25