无时钟的基于自旋的宽读取边界查找表
摘要：基于自旋霍尔效应的磁隧道结构器件的发展和适用于组合与时序逻辑的时钟无关型LUT的比较。所提出的LUT设计通过使用差动极性双磁隧道结构代替静态参考电阻磁隧道结构来消除典型的感应放大器，实现更宽的读取边际。蒙特卡洛模拟也表明，在涉及MOS晶体管和磁隧道结构的各种工艺变化场景下，所提出的分割型LUT无读写错误。仿真结果还显示，与基于SRAM的LUT相比，所提出的LUT将待机功耗降低了5.4倍。此外，所提出的基于自旋霍尔效应的磁隧道结构的LUT比基于SRAM的LUT和基于自旋转移扭矩的磁隧道结构的LUT分别减小了1.3倍和2倍的面积。
作者：Soheil Salehi, Ramtin Zand, Ronald F. DeMara
论文ID：1903.00978
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2019-03-14