减少瞬态电流并加速三维交叉点PCM的读取操作的偏置方案
摘要：3D交叉点相变存储器（PCM）是一种有前景的新兴存储器。然而，3D交叉点PCM的动态性能有限，偏置方案的作用尚不清楚。先前对于平面存储器的偏置方案的研究使用静态分析评估静态阵列性能。在这里，发现高峰值瞬态读取电流导致长的读取访问时间。分析了导致高峰值读取电流的三个因素。在一个64Mbit的3D交叉点PCM中采用了提出的2V/3偏置方案和单参考串扰匹配感知电路。感知时间减少了22.5\%。通过动态分析设计偏置方案为高性能的3D PCM技术的发展铺平了道路，以提高计算系统的工作效率。由于缺少图1的标签、对感知速度的峰值电流缺乏解释、选择2V/3方案的原因缺乏说明、寄生电容的影响缺乏说明、对导致高峰值读取电流的因素的解释不清、缺乏比较、对串扰电流的解释不清、对SRPM感知电路的解释不清、对NM_A1等定义量的缺乏、功耗比较的解释不清、对传统电路的错误描述、对3D-IC的错误描述、对存储器层数的错误描述等，这些错误可能会导致对我们工作的理解困惑。因此，我们决定从arXiv撤回本文。我们将对其进行重写，并在未来发表正确完整的论文。
作者：Yu Lei, Meng Liu, Houpeng Chen, Xi Li, Qian Wang and Zhitang Song
论文ID：1811.04684
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2019-06-06