广调谐三重频率信号生成的相位噪声优化正交VCO
摘要：基于四象限压控振荡器（QVCO）相位噪声性能的分析模型，本文提出了一种宽调谐三频段QVCO RFIC设计。相位噪声模型展示了将相位移用于四象限耦合以降低QVCO相位噪声和双模振荡消除的优势。作为示例，我们提出了一种宽调谐和低噪声的QVCO RFIC，它包含一个底部串联的QVCO，其中使用双极晶体管进行振荡和NMOS晶体管进行耦合。低频带和中频带信号通过QVCO输出及其二次谐波产生，而高频带信号通过频率混合获得。调谐范围增强技术使得三频段频率在1.4 GHz到8.7 GHz范围内实现，而不会影响振荡器的相位噪声。所提出的宽频带频率生成RFIC在0.18μm SiGe BiCMOS技术中实现，面积为0.6mm2。测量得到的相位噪声分别为-125.2、-119.5和-108.8 dBc/Hz，对应于三个频段的1 MHz偏移。
作者：Hechen Wang, Fa Foster Dai
论文ID：1807.06241
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2018-07-18