低温HfO2原子层沉积在软光刻胶基底上用于透射电子显微镜样品制备的研究
摘要：低温原子层沉积(ALD)方法首次在软光刻胶(PR)基底上形成40°C至85°C的二氧化铪(HfO2)。这揭示了在透射电子显微镜（TEM）样品制备中的潜在应用。使用椭圆振幅法、X射线衍射和光电子能谱分析了薄膜的厚度、折射率、带隙和深度剖析化学状态。我们的TEM图像显示了光刻胶和沉积在PR上的二氧化铪之间的清晰界限，表明低温原子层沉积(ALD)可能在高级技术节点的TEM样品制备中开辟了一条新途径。
作者：KP Peng, YC Liu, IF Lin, CC Lin, SW Huang, CC Ting
论文ID：1807.04510
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2018-07-13