掺杂硅基的超宽带太赫兹完美吸收体
摘要：基于掺杂半导体的超材料理想吸收体(MPA)的需求由于可用的成熟的制造和仿真技术而稳步增长。对于开发基于掺杂半导体的太赫兹(THz)理想吸收体具有特定的兴趣，以实现诸如极化无关性、宽角度和宽带吸收等特性。我们报告了一种基于掺杂硅微型锥形结构的图案阵列的MPA，以使其具有宽带、宽角度和极化无关性响应。在这项工作中，我们使用COMSOL Multiphysics对MPA结构进行建模，使用软件的RF模块在Beowulf集群上并行运行来评估其电磁波响应。我们评估了掺杂硅MPA结构在0.1至5.0 THz频谱范围内，对于横向磁场和横向电场极化，以及在法线入射和斜入射情况下，角度高达75度的响应。发现该掺杂硅MPA在1.7至3.9 THz的宽频谱范围内实现完美吸收，并对极化和入射角度高达60度的变化不敏感。相对于顺序仿真，简化的Beowulf集群上执行MPA大大缩短了仿真时间。
作者：Ankit Vora, Satyadhar Joshi, Arun Matai
论文ID：1807.00348
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2018-07-03