超参数磁隧道结构生成真正随机位的电路级评估
摘要：超磁隧道结是一种基于自旋转矩磁阻随机存取内存的自旋电子器件，它可以自然地在两个易于测量的电阻状态之间切换，仅通过热噪声来实现。读取超磁隧道结的状态可以自然地提供随机比特，而不需要进行写操作。在本文中，我们评估了一种用于读取超磁隧道结状态的电路解决方案。我们发现该电路可能会对缩放后的超磁隧道结产生轻微的读取干扰效应，但这种效应在必要的白化处理过程中自然地得到修正，以确保生成的随机比特的质量。这些结果表明，超磁隧道结可以以低于CMOS解决方案的几个数量级的能量（包括开销）生成每比特约为20 fJ的真正随机比特。
作者：Damir Vodenicarevic, Nicolas Locatelli, Alice Mizrahi, Tifenn Hirtzlin, Joseph S. Friedman, Julie Grollier and Damien Querlioz
论文ID：1806.09124
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2018-06-26