非共价功能化优化的单层MoS2场效应晶体管
摘要：通过化学气相沉积（CVD）在SiO2上生长具有非共价功能化二硫化钼（MoS2）通道的场效应晶体管（FET）已经报道。MoS2的无悬呼键表面被功能化为酞菁酰亚胺衍生物，以便在其上沉积Al2O3介电层。这使得能够制备顶门控和完全封装的MoS2 FET。此外，通过在MoS2上定义垂直接触点，制备了永不与聚合物接触的器件。在SiO2上制备的MoS2 FET在Al2O3上述顶门介电层显示出高迁移率。因此，使用创新的化学技术进行栅极堆叠工程是基于二维材料制备可靠电子器件的有希望的方法。 标题：采用创新化学方法制备的非共价功能化MoS2 FET的研究
作者：HyunJeong Kim WungYeon Kim, Maria O'Brien, Niall McEvoy, Chanyoung Yim, Mario Marcia, Frank Hauke, Andreas Hirsch, Gyu-Tae Kim, and Georg S. Duesberg
论文ID：1806.01713
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2018-06-06