标准单元库开发流程的多重光刻兼容验证
摘要：22纳米起，标准单元必须设计成完全遵循光刻工艺，包括设计规则检查、面向制造性设计和双重图案兼容。对于物理布局设计师来说，提供一个在面积、功耗、时序、信号完整性和良率方面优化的完全光刻工艺兼容的标准单元布局是一个巨大的挑战，尤其对于相邻的单层和多层高度的标准单元来说，这个挑战更加严峻。目前，不同的晶圆厂和库厂商在全光刻工艺库准备和验证方面有不同的方法。据我们所知，目前没有单一的工具将所有类型的光刻工艺兼容检查集成到标准单元库验证流程中。在本文中，我们将演示用于标准单元库开发流程的多种光刻工艺兼容验证。将解释验证流程和详细的算法实现以帮助工程师实现完全光刻工艺兼容的标准单元库。还将讨论一种面积高效的标准单元布局方法，以验证标准单元相邻引起的问题。
作者：Yongfu Li, Wan Chia Ang, Chin Hui Lee, Kok Peng Chua, Yoong Seang Jonathan Ong, Chiu Wing Colin Hui
论文ID：1805.10745
分类：Other Computer Science
分类简称：cs.OH
提交时间：2018-05-29