使用CMOS-忆阻器电路的感知放大器设计
摘要：使用记忆阻抗器件修改180nm CMOS感应放大器设计，改善芯片面积、功率效率、温度抗性和速度等方面的设计。通过使用记忆阻抗器件和CMOS构建电路中的非门，检查记忆阻抗器件对感应放大器特性的影响。将该设计在传统电流感应放大器（CSA）电路上进行了测试，论文报告了功率、面积、感应延迟和偏移的变化。
作者：Yerlan Amanzholov and Olga Krestinskaya
论文ID：1805.07676
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2019-08-28