（Al,Ga）As微腔中激子极化子的量子限制
摘要：半导体平台上实现极化子的量子功能需要对单个极化子的波函数能量和空间重叠进行控制，这些极化子被困在形状和大小精确控制的势阱中。在这项研究中，我们通过在两次分子束外延生长之间对（Al，Ga）As微腔的活性区进行图案化处理，实现了微腔极化子被困在具有有效势宽下降到1微米的势阱中。我们通过相关的光谱学和结构数据表明，图案化势阱的光滑曲面形成了梯度约束势，并具有有限的横向界面宽度。我们证明了该结构化方法适用于制造靠近的势阱阵列，支持相邻晶格点之间的杂化。
作者：Alexander S. Kuznetsov, Paul L. J. Helgers, Klaus Biermann, Paulo V. Santos (Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e. V.)
论文ID：1805.05771
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2018-06-13