电容-电压特性的异常缩放指数
摘要：利用电容-电压（CV）测量以及Mott-Schottky（MS）分析广泛用于材料和器件参数的表征。在这里，我们使用一个简单的分析模型，并通过详细的数值模拟给予支持，预测了薄膜器件的电容按照V^-2（V为施加的电势）的比例缩放，而不是通常使用的V^-0.5的依赖于MS分析的关系——这对于提取掺杂密度、内建电压等参数具有重要影响。令人惊讶的是，我们发现这种预测趋势已经隐藏在多个现有文献的多个实例中。因此，我们的结果对于半导体器件物理学具有基本贡献，并且可以直接应用于广泛的光电器件，如有机太阳能电池、钙钛矿太阳能电池和LED、薄膜非晶硅器件等，并且具有即时的相关性。
作者：Vikas Nandal and Pradeep R. Nair
论文ID：1804.01301
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2018-04-05