具有广泛频率可调性的CMOS兼容W/CoFeB/MgO自旋霍尔纳米振荡器
摘要：在高电阻硅基底上，我们展示了低操作电流的W/Co20Fe60B20/MgO自旋霍尔纳米振荡器（SHNOs）。得益于β相W的记录高自旋霍尔角（ηSH = -0.53），可以实现非常低的阈值电流密度3.3×10^7 A/cm^2。加上它们非常宽的频率可调性（7-28 GHz），由适度的垂直磁各向异性提升，这使得基于HiR-Si/W/CoFeB的SHNOs成为宽带微波信号生成的潜在候选器件。它们与CMOS的兼容性为与其他芯片上半导体微波组件集成自旋电子微波器件提供了有希望的途径。
作者：M. Zahedinejad, H. Mazraati, H. Fulara, J. Yue, S. Jiang, A. A. Awad, and J.{AA}kerman
论文ID：1803.03032
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2018-04-18