用超薄氧化铝钝化层显著提高溶液处理全无机量子点发光二极管的效率，提高了超过800%。
摘要：改变溶液处理的NiO（s-NiO）表面结构，通过在其上修饰超薄的Al2O3钝化层，我们成功制备了高效率的全无机量子点发光二极管（QLEDs）。研究表明，位于距离s-NiO层表面6nm处，由氢氧化镍（NiOOH）引起的局域电场约为70 MV / cm。瞬态分辨光致发光（TRPL）和X射线光电子能谱（XPS）测量结果表明，Al2O3钝化层可以有效地钝化s-NiO表面的NiOOH，抑制激子猝灭。因此，QLEDs的电流效率（外部量子效率，EQE）获得了超过800\%的效率提升，最高达到34.1 cd / A（8.1\%）。据我们所知，这是目前效果最好的全无机QLEDs。
作者：Wenyu Ji, Huaibin Shen, Han Zhang, Zhihui Kang, Hanzhuang Zhang
论文ID：1803.02497
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2018-04-10