关于Bonhoeffer-van der Pol振荡器中混沌和记忆效应的研究及非理想电容器
摘要：Bonhoeffer van der pol振荡器系统中非理想电容器的电压波动被研究。在这里，电容器被建模为一个分数阶微分方程，其中分数阶导数的阶数也是介电体记忆的度量。通过两种方法推导了主导分数阶微分方程，即微分和积分方法。前一种方法利用了一种分层电阻电容（RC）梯级模型，而后者利用了普适介电响应理论。发现电容器两端的电势的动态行为受此参数影响，因此也受系统的记忆影响。此外，研究结果表明，记忆参数的增加与介质中储存能量的增加有关。发现与显示松弛振荡或混沌波动的行为相比，振荡死亡导致介质中存储的能量随时间增加了更多。后一种类型动态行为导致的储存能量相对较低似乎是记忆效应的结果，其中电容器中的现有能量受到之前电势下降的影响。因此，在这种情况下，可以认为介电材料记住了电压的过去行为，这导致存储能量的减少或增强。还发现非理想电容器具有过渡性质，在{alpha}趋近于0时更像电阻器，反之，在{alpha}趋近于1时更像电容器。这里，{alpha}的减小与介电材料的金属性质增强有关。
作者：Jamieson Brechtl, Xie Xie, Karin A. Dahmen, Peter K. Liaw, Steven J. Zinkle
论文ID：1803.01108
分类：Data Analysis, Statistics and Probability
分类简称：physics.data-an
提交时间：2019-03-27